সেমিকন্ডাক্টর প্রেসার সেন্সরগুলিকে দুটি ভাগে ভাগ করা যায়, একটি এই নীতির উপর ভিত্তি করে যে I-υ বৈশিষ্ট্যগুলি সেমিকন্ডাক্টর PN জংশন (বা স্কটকি জংশন) চাপের মধ্যে পরিবর্তিত হয়। এই চাপ সংবেদনশীল উপাদানের কর্মক্ষমতা খুবই অস্থির এবং ব্যাপকভাবে বিকশিত হয়নি। অন্যটি সেমিকন্ডাক্টর পাইজোরেসিটিভ ইফেক্টের উপর ভিত্তি করে সেন্সর, যা সেমিকন্ডাক্টর প্রেসার সেন্সরের প্রধান বৈচিত্র্য। প্রারম্ভিক দিনগুলিতে, অর্ধপরিবাহী স্ট্রেন গেজগুলি বেশিরভাগ স্থিতিস্থাপক উপাদানগুলির সাথে সংযুক্ত ছিল যাতে বিভিন্ন চাপ এবং স্ট্রেন পরিমাপের যন্ত্র তৈরি করা হয়। 1960-এর দশকে, সেমিকন্ডাক্টর ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট প্রযুক্তির বিকাশের সাথে, একটি অর্ধপরিবাহী চাপ সেন্সর যেখানে পাইজোরেসিটিভ উপাদান হিসাবে ডিফিউশন প্রতিরোধক উপস্থিত হয়েছিল। এই ধরনের চাপ সেন্সরের সহজ এবং নির্ভরযোগ্য কাঠামো রয়েছে, কোন আপেক্ষিক চলমান অংশ নেই এবং সেন্সরের চাপ সংবেদনশীল উপাদান এবং স্থিতিস্থাপক উপাদান একত্রিত করা হয়েছে, যা যান্ত্রিক ল্যাগ এবং ক্রীপ এড়ায় এবং সেন্সরের কর্মক্ষমতা উন্নত করে।

সেমিকন্ডাক্টরের পাইজোরেসিটিভ ইফেক্ট সেমিকন্ডাক্টরের বাহ্যিক শক্তির সাথে সম্পর্কিত একটি বৈশিষ্ট্য রয়েছে, অর্থাৎ, প্রতিরোধ ক্ষমতা (চিহ্ন ρ দ্বারা উপস্থাপিত) এটি যে চাপ বহন করে তার সাথে পরিবর্তিত হয়, যাকে পাইজোরেসিটিভ এফেক্ট বলে। একক চাপের ক্রিয়ায় রোধের আপেক্ষিক পরিবর্তনকে বলা হয় পাইজোরেসিটিভ সহগ, যা π প্রতীক দ্বারা প্রকাশ করা হয়। গাণিতিকভাবে ρ/ρ = π σ হিসাবে প্রকাশ করা হয়।

যেখানে σ চাপের প্রতিনিধিত্ব করে। স্ট্রেসের অধীনে সেমিকন্ডাক্টর রেজিস্ট্যান্সের কারণে রেজিস্ট্যান্স ভ্যালুর (R/R) পরিবর্তন প্রধানত রেজিসিটিভিটির পরিবর্তন দ্বারা নির্ধারিত হয়, তাই পিজোরেসিটিভ ইফেক্টের এক্সপ্রেশনকে R/R=πσ হিসাবেও লেখা যেতে পারে।

বাহ্যিক শক্তির ক্রিয়ায়, অর্ধপরিবাহী স্ফটিকগুলিতে নির্দিষ্ট স্ট্রেস (σ) এবং স্ট্রেন (ε) তৈরি হয় এবং তাদের মধ্যে সম্পর্কটি উপাদানটির ইয়াং এর মডুলাস (Y) দ্বারা নির্ধারিত হয়, অর্থাৎ Y=σ/ε।

যদি পাইজোরেসিটিভ প্রভাব সেমিকন্ডাক্টরের উপর স্ট্রেন দ্বারা প্রকাশ করা হয় তবে এটি R/R=Gε।

G কে চাপ সেন্সরের সংবেদনশীলতা ফ্যাক্টর বলা হয়, যা ইউনিট স্ট্রেনের অধীনে প্রতিরোধের মানের আপেক্ষিক পরিবর্তনকে প্রতিনিধিত্ব করে।

Piezoresistive coefficient বা সংবেদনশীলতা ফ্যাক্টর হল সেমিকন্ডাক্টর piezoresistive প্রভাবের মৌলিক শারীরিক পরামিতি। তাদের মধ্যে সম্পর্ক, ঠিক স্ট্রেস এবং স্ট্রেনের মধ্যে সম্পর্কের মতো, উপাদানটির ইয়ং মডুলাস দ্বারা নির্ধারিত হয়, অর্থাৎ, g = π y।

স্থিতিস্থাপকতায় সেমিকন্ডাক্টর স্ফটিকগুলির অ্যানিসোট্রপির কারণে, ইয়ং এর মডুলাস এবং পিজোরেসিটিভ সহগ স্ফটিক অভিযোজনের সাথে পরিবর্তন হয়। সেমিকন্ডাক্টর পাইজোরেসিস্টিভ প্রভাবের মাত্রাও সেমিকন্ডাক্টরের প্রতিরোধ ক্ষমতার সাথে ঘনিষ্ঠভাবে সম্পর্কিত। প্রতিরোধ ক্ষমতা কম, সংবেদনশীলতা ফ্যাক্টর ছোট। ডিফিউশন রেজিস্ট্যান্সের পাইজোরেসিটিভ ইফেক্ট স্ফটিক ওরিয়েন্টেশন এবং ডিফিউশন রেজিস্ট্যান্সের অপরিষ্কার ঘনত্ব দ্বারা নির্ধারিত হয়। অপবিত্রতা ঘনত্ব প্রধানত প্রসারণ স্তর পৃষ্ঠের অপরিষ্কার ঘনত্ব বোঝায়।