সাধারণত ব্যবহৃত সেমিকন্ডাক্টর প্রেসার সেন্সর এন-টাইপ সিলিকন ওয়েফারকে সাবস্ট্রেট হিসেবে ব্যবহার করে। প্রথমত, সিলিকন ওয়েফারটিকে একটি নির্দিষ্ট জ্যামিতি সহ একটি ইলাস্টিক স্ট্রেস বহনকারী অংশে তৈরি করা হয়। সিলিকন ওয়েফারের স্ট্রেস বহনকারী অংশে, চারটি পি-টাইপ ডিফিউশন প্রতিরোধক বিভিন্ন স্ফটিক দিক বরাবর তৈরি করা হয় এবং তারপরে এই চারটি প্রতিরোধকের সাথে একটি চার-বাহু হুইটস্টোন সেতু তৈরি হয়। বাহ্যিক শক্তির ক্রিয়ায়, প্রতিরোধের মানগুলির পরিবর্তনগুলি বৈদ্যুতিক সংকেতে পরিণত হয়। চাপের প্রভাব সহ এই গম পাথরের সেতুটি চাপ সেন্সরের হৃদয়, যাকে সাধারণত পাইজোরেসিটিভ ব্রিজ বলা হয় (চিত্র 1-এ দেখানো হয়েছে)। পাইজোরেসিস্টিভ সেতুর বৈশিষ্ট্যগুলি নিম্নরূপ: ① সেতুর চারটি বাহুর প্রতিরোধের মান সমান (সমস্ত r0); ② সেতুর সন্নিহিত বাহুগুলির পাইজোরেসিটিভ প্রভাব মান সমান এবং চিহ্নে বিপরীত; ③ সেতুর চারটি বাহুর প্রতিরোধের তাপমাত্রা সহগ একই, এবং তারা সবসময় একই তাপমাত্রায় থাকে। ডুমুরে। 1, R0 হল ঘরের তাপমাত্রায় চাপ ছাড়া প্রতিরোধের মান; RT হল তাপমাত্রা পরিবর্তিত হলে রেজিস্ট্যান্সের তাপমাত্রা সহগ (α) দ্বারা সৃষ্ট পরিবর্তন; Υ Rδ হল স্ট্রেন (ε) দ্বারা সৃষ্ট প্রতিরোধের পরিবর্তন; সেতুর আউটপুট ভোল্টেজ হল u=I0 Δ Rδ=I0RGδ (ধ্রুবক কারেন্ট সোর্স ব্রিজ)।

যেখানে I0 হল ধ্রুবক কারেন্ট সোর্স কারেন্ট এবং e হল ধ্রুবক ভোল্টেজ সোর্স ভোল্টেজ। পাইজোরেসিস্টিভ ব্রিজের আউটপুট ভোল্টেজ স্ট্রেন (ε) এর সাথে সরাসরি সমানুপাতিক এবং তাপমাত্রা সহগ প্রতিরোধের কারণে সৃষ্ট RT এর সাথে এর কোন সম্পর্ক নেই, যা সেন্সরের তাপমাত্রা প্রবাহকে ব্যাপকভাবে হ্রাস করে। সর্বাধিক ব্যবহৃত সেমিকন্ডাক্টর চাপ সেন্সর হল তরল চাপ সনাক্ত করার জন্য একটি সেন্সর। এর প্রধান কাঠামোটি একক সিলিকন দিয়ে তৈরি একটি ক্যাপসুল (চিত্র 2 এ দেখানো হয়েছে)। ডায়াফ্রামটি একটি কাপে তৈরি করা হয় এবং কাপের নীচের অংশটি বাহ্যিক শক্তি বহন করে এবং কাপের নীচে চাপের সেতু তৈরি করা হয়। রিং পেডেস্টাল একই সিলিকন একক স্ফটিক উপাদান দিয়ে তৈরি, এবং তারপর মধ্যচ্ছদাটি পেডেস্টালের সাথে আবদ্ধ হয়। এই ধরনের চাপ সেন্সরের উচ্চ সংবেদনশীলতা, ছোট ভলিউম এবং দৃঢ়তার সুবিধা রয়েছে এবং এটি বিমান চলাচল, স্পেস নেভিগেশন, অটোমেশন যন্ত্র এবং চিকিৎসা যন্ত্রগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছে।