সাধারণত ব্যবহৃত সেমিকন্ডাক্টর প্রেসার সেন্সরটি সাবস্ট্রেট হিসাবে এন-টাইপ সিলিকন ওয়েফার ব্যবহার করে। প্রথমত, সিলিকন ওয়েফার একটি নির্দিষ্ট জ্যামিতি সহ একটি ইলাস্টিক স্ট্রেস বহনকারী অংশে তৈরি করা হয়। সিলিকন ওয়েফারের স্ট্রেস বহনকারী অংশে, চারটি পি-টাইপের প্রসারণ প্রতিরোধকগুলি বিভিন্ন স্ফটিক দিকনির্দেশের সাথে তৈরি করা হয় এবং তারপরে এই চারটি প্রতিরোধকের সাথে একটি চার-বাহু হিটস্টোন ব্রিজ গঠিত হয়। বাহ্যিক শক্তির ক্রিয়াকলাপের অধীনে, প্রতিরোধের মানগুলির পরিবর্তনগুলি বৈদ্যুতিক সংকেত হয়ে যায়। চাপ প্রভাব সহ এই হুইটস্টোন ব্রিজটি হ'ল চাপ সেন্সরের হৃদয়, যা সাধারণত পাইজোরসিস্টিভ ব্রিজ বলে (চিত্র 1 -এ দেখানো হয়েছে)। পাইজোরসিস্টিভ ব্রিজের বৈশিষ্ট্যগুলি নিম্নরূপ: ① সেতুর চারটি বাহুর প্রতিরোধের মানগুলি সমান (সমস্ত r0); Stims সেতুর সংলগ্ন বাহুগুলির পাইজোরসিস্টিভ প্রভাবটি সাইন ইন মান এবং বিপরীত; Stims সেতুর চারটি বাহুর প্রতিরোধের তাপমাত্রা সহগ একই এবং এগুলি সর্বদা একই তাপমাত্রায় থাকে। ডুমুর মধ্যে। 1, আর 0 হ'ল ঘরের তাপমাত্রায় চাপ ছাড়াই প্রতিরোধের মান; আরটি হ'ল তাপমাত্রা পরিবর্তনের সময় প্রতিরোধের (α) তাপমাত্রার সহগের দ্বারা সৃষ্ট পরিবর্তন; Υ rδ হ'ল স্ট্রেন (ε) দ্বারা সৃষ্ট প্রতিরোধের পরিবর্তন; সেতুর আউটপুট ভোল্টেজ হ'ল u = i0 Δ rΔ = i0rgΔ (ধ্রুবক বর্তমান উত্স সেতু)।

যেখানে আই 0 ধ্রুবক বর্তমান উত্স বর্তমান এবং ই ধ্রুবক ভোল্টেজ উত্স ভোল্টেজ। পাইজোরসিস্টিভ ব্রিজের আউটপুট ভোল্টেজ সরাসরি স্ট্রেনের (ε) এর সাথে সমানুপাতিক এবং প্রতিরোধের তাপমাত্রা সহগের কারণে আরটি -র সাথে কিছুই করার নেই, যা সেন্সরের তাপমাত্রার প্রবাহকে ব্যাপকভাবে হ্রাস করে। সর্বাধিক ব্যবহৃত সেমিকন্ডাক্টর চাপ সেন্সর হ'ল তরল চাপ সনাক্তকরণের জন্য একটি সেন্সর। এর মূল কাঠামোটি মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন দিয়ে তৈরি একটি ক্যাপসুল (চিত্র 2 -এ দেখানো হয়েছে)। ডায়াফ্রামটি একটি কাপে তৈরি করা হয়, এবং কাপের নীচের অংশটি এমন একটি অংশ যা বাহ্যিক শক্তি বহন করে এবং চাপ ব্রিজটি কাপের নীচে তৈরি করা হয়। রিং পেডেস্টাল একই সিলিকন একক স্ফটিক উপাদান দিয়ে তৈরি এবং তারপরে ডায়াফ্রামটি পেডেস্টালের সাথে জড়িত। এই ধরণের চাপ সেন্সরের উচ্চ সংবেদনশীলতা, ছোট ভলিউম এবং দৃ ity ়তার সুবিধা রয়েছে এবং বিমান, স্থান নেভিগেশন, অটোমেশন যন্ত্র এবং চিকিত্সা যন্ত্রগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছে।