থার্মোসেটিং SB578F/AU4V110X সিরিজ লিড সোলেনয়েড ভালভ কয়েল

অবহেলিত পরজীবী ইন্ডাক্টেন্স, ইন্ডাক্ট্যান্স কয়েল, বৈদ্যুতিন চৌম্বকীয় কয়েল হবে না

1। এটি প্রবর্তিত হয়েছে যে পরজীবী আনয়ন যা অবহেলিত হতে পারে না তা হ'ল পিসিবিতে পরিকল্পনার মাধ্যমে বিবেচনা করা উচিত পরজীবী ইন্ডাক্ট্যান্সের অর্ধেক।

উচ্চ-গতির ডিজিটাল সার্কিটের পরিকল্পনায়, ভিআইএএসের পরজীবী আনয়ন দ্বারা সৃষ্ট ক্ষতি সাধারণত পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্সের কারণে সৃষ্ট তার চেয়ে বেশি হয়। এর পরজীবী সিরিজের সূচনা বাইপাস ক্যাপাসিটরের অবদান এবং পুরো পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমের ফিল্টারিং প্রভাবকে দুর্বল করবে।

2। আমরা একটি ভায়া এর আনুমানিক পরজীবী ইন্ডাক্ট্যান্স গণনা করতে নিম্নলিখিত সূত্রগুলি ব্যবহার করতে পারি:

L = 5.08H [ইন (4 এইচ/ডি) +1] যেখানে এল ভিআইএর অন্তর্ভুক্তিকে বোঝায়, এইচ ভায়া দৈর্ঘ্য এবং ডি মাঝারি গর্তের ব্যাস। সূত্রটি থেকে এটি দেখা যায় যে ভায়া গর্তের ব্যাস ইনডাক্ট্যান্সের উপর খুব কম প্রভাব ফেলে তবে ভায়া গর্তের দৈর্ঘ্যটি অন্তর্ভুক্তির উপর সবচেয়ে বেশি প্রভাব ফেলে। উপরের উদাহরণটি এখনও ব্যবহার করে, গর্তের আনয়নটি গণনা করা যেতে পারে: l = 5.08 x 0.050 [ইন (4x0.050/0.010) +1] = 1.015 এনএইচ। যদি সংকেতের উত্থানের সময়টি 1ns হয় তবে সমতুল্য প্রতিবন্ধকতা হ'ল xl = tl/t10-90 = 3.190। উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি কারেন্ট থাকলে এই ধরণের প্রতিবন্ধকতা উপেক্ষা করা যায় না। এটি বিশেষভাবে লক্ষণীয় যে বাইপাস ক্যাপাসিটারকে পাওয়ার স্তর এবং স্ট্র্যাটামকে সংযুক্ত করার সময় দুটি ভায়াস দিয়ে যেতে হবে, সুতরাং ভিআইএগুলির পরজীবী আনয়ন তাত্পর্যপূর্ণভাবে বৃদ্ধি পাবে।

আনয়ন গরম করার কারণ

সূচক গরম করার কারণটি পরিচয় করিয়ে দিন এবং ব্যাখ্যা করুন।

1। তারটি খুব পাতলা, যা সূচকটির প্রতিরোধের কারণে খুব বড় হয়ে উঠবে। বর্তমানের কার্যকর মানটি নিশ্চিত যে এই শর্তে মেরু উত্তপ্ত হওয়া স্বাভাবিক।

2, ইন্ডাক্ট্যান্স পূর্ণ, এবং এই ধরণের জ্বরও খুব বিস্তৃত।

3। ইন্ডাক্টরের উভয় প্রান্তে একটি বৃহত কম্পন ভোল্টেজ রয়েছে, সুতরাং কোরটি আরও বড় হতে পরিবর্তিত হয়েছে, যা টার্নের সংখ্যা হ্রাস করতে পারে এবং লাইনের দৈর্ঘ্যটি সংক্ষিপ্ত করতে পারে। ফরোয়ার্ড রূপান্তর, ছোট রিপল কারেন্ট, ছোট চৌম্বকীয় ক্ষতি, মূলত প্রতিরোধের তাপ।